En cours de chargement...
Le nouveau livre en format poche de Virginie Grimaldi
8,90€
Transient Floating-Body Effects for Memory Applications in Fully-Depleted SOI MOSFETs (Broché)
15,00 €
Expédié sous 8 à 17 jours
-
ouÀ retirer gratuitement en magasin U
entre le 12 juin et le 19 juin
Résumé
Memory devices based on floating-body effects (FBE) in Silicon-on-Insulator (SOI) technology are among the most promising candidates for sub-100nm and low power Dynamic Random Access Memory (DRAM). This new type of DRAMs, called Zero-Capacitor RAM (Z-RAM)
Fiche technique
- Date de parution : 01/01/2007
- Editeur : Presses Universitaires Louvain
- Collection : Thèses de l'UCL
- ISBN : 978-2-87463-088-0
- EAN : 9782874630880
- Présentation : Broché
- Nb. de pages : 168 pages
- Poids : 0.278 Kg
- Dimensions : 16,0 cm × 24,0 cm × 1,0 cm
À propos de l'auteur
Biographie de Maryline Bawedin
Maryline Bawedin was born in Rocourt, Belgium, in 1976. She received the Industrial Engineer degree from the Institut Gramme, Liège, the Electrical Master degree and the Ph.D degree from the Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium, in 2001, 2002 and 2007, respectively. Her main research areas are the electrical characterization, modeling and simulation of the floating-body effects for SOI memories applications and DC performance of thin film SOI LDMOSFETs.Transient Floating-Body Effects for Memory Applications in Fully-Depleted SOI MOSFETs est également présent dans les rayons
Transient Floating-Body Effects for Memory Applications in Fully-Depleted...
15,00 €